器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
MRF282ZR1 | FREESCALE (NXP) | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 下载 |
MRF282ZR1 | NXP(恩智浦) | RF MOSFET Transistors RF PWR FET SOE PKG | 下载 |
MRF282ZR1 | Motorola ( NXP ) | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, NI-200Z, CASE 458C-03, 2 PIN | 下载 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | L BAND |
JESD-30 代码 | R-CDSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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